高解析表面形貌觀察，搭配 EDS 元素分析，解析度可達 1 nm，適用半導體元件、奈米結構與薄膜分析。
設備介紹
本設備採用熱場發射電子槍，可在低加速電壓下取得高解析度影像，適合觀察半導體元件表面形貌、奈米結構與薄膜截面。搭配能量散佈光譜儀（EDS），可同時進行元素組成與分佈分析。
設備由國儀中心維運，開放學研單位與產業夥伴使用，可由專人代為操作量測，或於完成訓練後自行上機。
規格
| 廠牌／型號 | FE-SEM 7000 系列 |
|---|---|
| 電子槍 | 熱場發射式（Schottky） |
| 解析度 | 1.0 nm（15 kV）；1.6 nm（1 kV） |
| 加速電壓 | 0.1 – 30 kV |
| 放大倍率 | ×25 – ×1,000,000 |
| 最大樣品尺寸 | 直徑 200 mm（8 吋晶圓），高度 40 mm |
| 附加配備 | EDS 能量散佈光譜儀、背向散射電子偵測器 |
服務項目
- 表面形貌與奈米結構觀察
- 元件截面量測（需另行製備截面樣品）
- EDS 元素定性、半定量與分佈圖（Mapping）
- 代客量測或訓練後自行操作
應用平台
- 材料影像結構分析平台材料物性量測專區
- 3D先進邏輯平台先進半導體材料與元件整合專區
本設備支援 2 個平台的製程或量測流程，點選可查看各模組的設備與替代方案。
使用須知
- 樣品須為乾燥、無揮發性且可導電，非導體樣品需先鍍膜。
- 預約、收費與使用資格依所屬單位規定辦理，請透過外部預約系統申請。
- 如有特殊量測需求，請先與聯絡窗口確認。